霍爾效應(yīng)實(shí)驗儀  型號:DPFD-HL-B

霍耳元件因其體積小，使用簡便，測量準(zhǔn)確度，可測量交、直流磁場等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛用于磁場的測量。并配以其他裝置用于位置、位移、轉(zhuǎn)速、角度等物理的測量和自動控制。本霍耳效應(yīng)實(shí)驗儀主要幫助學(xué)生了解霍耳效應(yīng)的實(shí)驗原理，測量霍耳元件的靈敏度，并學(xué)會用霍耳元件測量磁感應(yīng)強(qiáng)度的方法。 DPFD-HL-B 型霍爾效應(yīng)實(shí)驗儀采用了砷化鎵霍耳元件（樣品）測量。該霍耳元件具有靈敏度，線性范圍廣，溫度系數(shù)小的特點(diǎn)，因而實(shí)驗數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠。本儀器可用于等院校、中專的基礎(chǔ)物理實(shí)驗、性實(shí)驗和演示實(shí)驗。 
　　應(yīng)用該儀器可以成以下實(shí)驗：

　　1 ．在恒定直流磁場中測量砷化鎵霍爾元件霍爾電壓與霍爾電流的關(guān)系；

　　2 ．霍爾電流恒定時測量砷化鎵霍爾元件在直流磁場下的靈敏度。

　　儀器主要參數(shù)：

　　1 ．恒流源 0 － 1.999mA 連續(xù)可調(diào)；

　　2 ．?dāng)?shù)字電壓表 量程： 0 － 199.0mV ；

　　3 ．電磁鐵 磁隙內(nèi)磁場強(qiáng)度 -190mT — 190mT 連續(xù)可調(diào)；

　　4 ．霍爾元件 砷化鎵霍爾元件，zui大作電流不得過 3mA